關于鵬城半導體
?  鵬城半導體技術（深圳）有限公司，由哈爾濱工業大學（深圳）與有多年實踐經驗的工程師團隊共同發起創建。公司立足于技術qian*yan與市場qian*yan的交叉點，尋求chuang*xin*yin*ling與可持續發展，解決產業的痛點和國產化難題，爭取產業鏈的自主可控。
? 公司he*xin業務是微納技術與gao duan精密制造，具體應用領域包括半導體材料、半導體工藝和半導體裝備的研發設計和生產制造。
? 公司人才團隊知識結構完整，有以哈工大教授和博士為he*xin的高水平材料研究和工藝研究團隊；還有來自工業界的gao*ji裝備設計師團隊，他們具有20多年的半導體材料研究、外延技術研究和半導體薄膜制備成套裝備設計、生產制造的經驗。
? 公司依托于哈爾濱工業大學（深圳），具備xian*jin的半導體研發設備平臺和檢測設備平臺，可以在高起點開展科研工作。公司總部位于深圳市，具備半導體裝備的研發、生產、調試以及半導體材料與器件的中試、生產、銷售的能力。

公司已投放市場的部分半導體設備

|物li*qi相沉積（PVD）系列

磁控濺射鍍膜機、電子束鍍膜機、熱蒸發鍍膜機，激光沉積設備PLD、離子束濺射鍍膜機、磁控與離子束復合鍍膜機

|化學氣相沉積（CVD）系列

MOCVD、PECVD、LPCVD、微波等離子體CVD、熱絲CVD、原子層沉積設備ALD

|**高真空系列

分子束外延系統（MBE）、激光分子束外延系統（LMBE）

|成套設備

團簇式太陽能薄膜電池中試線、OLED中試設備（G1、G2.5）

|其他

金剛石薄膜制備設備、合金退火爐、硬質涂層設備、磁性薄膜設備、電極制備設備

|真空鍍膜機zhuan*yong電源/真空鍍膜機控制系統及軟件

直流濺射電源、RF射頻濺射電源、gao*jing*du熱蒸發電源、高能直流脈沖電源（中頻可調脈寬）

控制系統及軟件

團隊部分業績分布

?  完全自主設計制造的分子束外延（MBE）設備，包括自主設計制造的MBE*chao高真空外延生長室、工藝控制系統與軟件、高溫束源爐、高溫樣品臺、Rheed原位實時在線監控儀（反射高能電子衍射儀）、直線型電子qiang、膜厚儀（可計量外延生長的分子層數）、射頻源等關鍵部件。真空度達到2×10-8Pa。
?  設備于2005年在浙江大學光學儀器guo*jia*zhong*dian實驗室投入使用，至今仍在正常使用。
?  設計制造磁控濺射與等離子體增強化學氣相沉積法PECVD技術聯合系統，應用于團簇式太陽能薄膜電池中試線。使用單位中科院電工所。
?  設計制造了金剛石薄膜制備設備，應用于金剛石薄膜材料的研究與中試生產設備。現使用單位中科院金屬研究所。
?  設計制造了全自動磁控濺射設備，可加水平磁場和垂直磁場，自行設計的真空機械手傳遞基片。應用于高密度磁記錄材料與器件的研究和中試。現使用單位guo*jia光電實驗室。
?  設計制造了OLED*you*ji半導體發光材料及器件的研究和中試成套裝備。現使用單位中國香港城市大學xian*jin材料實驗室。
?  設計制造了MOCVD及合金退火爐，用于GaN和ZnO的外延生長，實現LED無機半導體發光材料與器件的研究和中試。現使用單位南昌大學guo*jia硅基LED工程技術研究中心。
?  設計制造了磁控濺射研究型設備。現使用單位浙江大學半導體所。
?  設計制造了電子束蒸發儀研究型設備。現使用單位武漢理工大學。

團隊在di三代半導體裝備及工藝方面的技術積累
2001年?與南昌大學合作
設計了中試型的全自動化監控的MOCVD，用于外延GaN和ZnO。
2005年?與浙江大學光學儀器guo*jia*zhong*dian實驗室合作
設計制造了di*yi臺完全自主zhi*shi*chan*quan的分子束外延設備，用于外延光電半導體材料。
2006年? 與中國科技大學合作
設計**高溫CVD 和MBE。
用于4H晶型SiC外延生長。
2007年?與蘭州大學物理學院合作
設計制造了光學級金剛石生長設備（采用熱激發技術和CVD技術）。
2015年? 中科院金屬研究所沈陽材料科學guo*jia（聯合）實驗室合作
設計制造了金剛石薄膜制備，制備了金剛石電極、微米晶和納米晶金剛石薄膜、導電金剛石薄膜。
2017年
-優化Rheed設計，開始生產型MBE設計。
-開始研制PVD方法外延GaN的工藝和裝備，目前正在進行設備工藝驗證。
2019年?設計制造了大型熱絲CVD金剛石薄膜的生產設備。
2021年?MBE生產型設計。
2022年?大尺寸金剛石晶圓片制備（≥Φ6英寸）。
2023年?PVD方法外延氮化鎵裝備與工藝攻關。